unesp UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA
CAMPUS DE GUARATINGUETÁ
Colégio Técnico Industrial de Guaratinguetá
Prof. Carlos Augusto Patrício Amorim
SÉRIE DE
EXERCÍCIOS - Prof.
Maciel – 3º
BIMESTRE DE 2013 –2º
B – EB
Nome:
_________________________________________________ Data: _____________
1
– Calcular o valor de RD do circuito mostrado abaixo para IDQ de 1mA, VDSQ de
15 volts e VGSQ de – 1V.
Resposta:
________ ohm.
2
– Calcular os valores de Rs e RD do circuito abaixo, onde a corrente quiescente
de dreno de 1ma, e VDS quiescente é de 15volts. Sabe-se que na curva de
transcondutância do referido JFET uma ID de 1ma ocorre para VGS de -1volt.
Resposta: Rs = ________ ohm e RD = ____________ ohm
3
– Determinar os valores de RG1, RS e RD do circuito mostrado a seguir para o
ponto quiescente de 1ma de IDQ, com 15 volts de VDS, para uma VGS de -1V. CONSIDERE RG2 NO VALOR DE 15kΩ e VGG = 1,0V
Dados: a) VGG = RG2
x VDD / ( RG1 + RG2 );
b) -VGS = (Rs x ID) – VGG;
c) RS = ( VGG –
VGSQ ) / IDQ,
d) RD = [( VDD – VDSQ ) / IDQ ] – RS ou RD = ( VDD –
VRS - VDS ) / IDQ
4 – Calcular a resistência
RDS(on) da chave DC empregando um JFET que possua uma VDS(sat) ou ( vp) de
2volts e uma IDss de 10mA. Qual valor da tensão de saída para o caso de o
circuito receber uma VGs nula e Vin de 20mVpp? Respostas: _______ ohm e
__________ mV. Dados: RDS (on) = VP / IDSS
5 – Calcular a resistência
RDS(on) da chave DC empregando um JFET que possua uma VDS(sat)ou ( Vp) de 4volts e uma IDss de 8mA. Qual valor
da tensão de saída para o caso de o circuito receber uma VGs nula e Vin de 100mVpp?
Respostas: _______ ohm e __________ mV. Dados: RDS (on) = VP / IDSS
6 – Calcular a tensão na
carga e o ganho de tensão AVT com carga do circuito mostrado abaixo para Vin de
30mVp. Resposta: AVT = _________ VL = _______ volts
Dados: IDss = 8mA, VP = -4V,
IDQ = 4mA, VGSQ = -1,2V.
Fórmulas: gfso = -2IDss / Vp;
gfs +
gfso. (1 – VGSQ / VP ); ZET = RG1 // RG2
Zst = RD; A’VT = -gfs.RD
Circuito equivalente do amplificador:
VEG = [ ZET / ( RiG + ZET ) ] .VG
VL = [ RL ( ZsT + RL ) . A’VT.VEG
AVT = VL / VEG
7 – No circuito abaixo, o
valor de VDS é de ________ V eo transistor está operando na região
_______________ . Dados: IDSS = 6ma; VGS
( off ) = -4V.
Resposta: ( a ) 6,8 –
ôhmica ( b ) 6,8 – de corrente
constante ( c ) 1,2 – ôhmica ( d ) 1,2 – de fonte de corrente ( prova EAGS 2002 )
8 – Os MOSFETs podem ser
classificados em dois tipos que são : modo de ________________ e MOSFET modo de
_____________ ou _____________.
9 - Um MOSFET modo de _________ é um dispositivo
normalmente fechado, ou um dispositivo que possui o canal existente mesmo com
VGS nula, sendo sua IDSS um valor ____________( máxima / médio / mínimo) .
10 - Um MOSFET modo de _________ é um dispositivo
normalmente aberto, ou um dispositivo que
possui o canal aberto quando a
VGS é nula, sendo sua IDSS um valor ____________ ( máxima / médio /
mínimo) .
11 – Um VMOS ou POWER FET é
um MOSFET modo de ___________ empregado para correntes elevadas.
12 – A tecnologia CMOS
emprega os MOSFETs modo de ____________ para a confecção de portas lógicas.
13 – Um amplificador para
baixos sinais para freqüências elevadas emprega o MOSFET modo de ______________ .
14 – A vantagem dos MOSFETs
sobre os JFETs é a
( a ) baixa transcondutância
dos MOSFETs ( b ) altíssima impedância dos MOSFETs
( c ) baixo ganho dos
JFETs ( d ) alto ganho de tensão
dos MOSFETs.
15 – Por que não se pode
empregar a autopolarização para os MOSFETs modo de acumulação?
( a ) por impor uma tensão
VGS positiva. ( b ) por impor uma tensão VGS negativa.
( c ) por diminuir a
impedância do MOSFET. ( d ) por
aumentar a largura do canal do MOSGFET.
16 – No circuito de
chaveamento de carga ativa mostrado abaixo; a) calcular a impedância RDs(on) do
MOSFET superior e do inferior. B) Para um sinal TTL de 5V, qual a tensão em Q1
e em Q2? Resp. VDS1 = ___________ V e
VDS2 = ___________ V.
Dados: Para Q1: ID(on) = IDss = 4mA e VDS(on) = 24V
Para Q2 : ID(on) = IDss = 4mA,
VP = VGSoff = 2V e VGSQ = -1V
Resp. a) RDS (Q1) = ________ RDS (Q2) = _________ b)
17 – Para o circuito abaixo,
para gm de Q1 de 2000µmho, o ganho de tensão com carga é de _________ e o sem
carga é de ___________.
18 – Para o circuito abaixo, o ganho é dado por: a) gm x RD b) gm x RS c) gm x RL
d) gm x R’L / ( gm x RS ) e ) [ gm x R’L ] / [ 1 + ( gm x R ‘L ) ], onde R’L = RS // RL.
19 – Um JFET possui Idss de 10mA e VGS(off) de -4 volts. Determine o valor de gfs0.
Qual a fórmula correta para este caso? Gfs0 = _____S ( S = Siemens ) ou______ mho)
a) gfs0 = -Idss / Vp b) gfs0 = +2Idss / Vp c) gfs0 = -2Idss / Vp d) gfs0 = Idss / 2Vp
20 – Um JFET possui Idss de
15mA, Vp de 5volts, gfs0 de 2500µS. Determinar o valor de gfs ou gm para VGS de
– 2,5 volts. Resposta: __________ µS.
21 – Para o circuito abaixo,
determinar o valor de Vo1 e de Vo2 para a situação de a) V(contr) de -5V e b) V(contr) = VGS = zero.
Resp. a) V(contr) de -5V: Vo1= ________________ Vo2 = ______________
b) VGS = zero: Vo1 = ________________ Vo2 = ___________________
23 – Para o circuito abaixo, para VBE é de 0,6V, o valor de
ID é de aproximadamente ____________ mA.
O valor exato de ID é de _________________ mA. O valor da tensão VD é de
aproximadamente _____________ volts.
Resp. VB = ______________ V, VE = _____________ V, VD =
_____________ V,
VC = VS = ____________ V,
VCE = ______________ V e VDS =
_____________ V
25 – No circuito abaixo, o JFET possui Gm = 2500µmho. O
circuito é ligado a um gerador de sinal com VG = 10mVp. O gerador possui Rig de
47kΩ. No circuito, Rs = RL = 1kΩ. Determinar o ganho e a tensão de saída sobre
RL.
Resp. AV = ___________ VRL = ______________
Dados: a) AV= ( gm x rs ) / [ ( 1 = ( gm + rs ) ] b) rs = R’L = RS //RL c) VL = AV x Vin
26 – Para o circuito abaixo onde Vin é de 300µV, RiG = 3,3Ω,
RS = 680Ω; determinar o valor de AVT e da amplitude de sinal sobre RL de 22kΩ.
Dados: a) IDSS = 12mA, Vp
= -4V e IDQ = 2,0mA
Resp. ____________ e ______________
26 – Para o circuito acima, onde Vin é de 200µV, RiG =
5,6kΩ, RS = 910Ω; determinar o valor de AVT e da amplitude de sinal sobre RL de
33kΩ.
Dados: a) IDSS = 12mA, Vp
= -4V e IDQ = 2,0mA
Resp. ____________ e ______________
27 – O circuito abaixo apresenta polarização nula de porta,
( VGS = 0, pois o terminal S está ligado ao terra). Para Gm = gm0 = 2000µS, o
ganho do circuito e a tensão de sinal em RL serão de ___________ e ___________
Vpp.
Considere Vin = 20mVpp, RD = 2kΩ e RL = 10kΩ.
Dados: a) AV = Gm x rd;
b) rd = RD // RL; c) VRL = Vin x AV
28 – Para o circuito anterior, para RD = 3kΩ, RL = 20kΩ e
gm0 = 3000µS, o ganho do circuito e a tensão de sinal em RL serão de
___________ e ___________ Vpp.
29 – Determinar VGS, ID, gm e Vout para o circuito abaixo.
Dados: k = IDlig
/ (VGSlig - VGSth )2 = 104 x 10-3
A/V2, ID(lig.) = 600mA e VGS( th) = 2,1V; RG1 = 1mΩ, RG2 = 350kΩ, RD
= 68Ω, RL = 1kΩ e Vin = 100mV.
VGS =
VG = VRG2 = _________________________
ID = K [
VGS – VGS(th) ]2 = ____________________
gm = 2K x (
VGs – VGSth )2 = ___________________
AV – gm x
rd = gm x R’L = ______________________
Poema 2013 / 3
17 jan. 2013
Qual a palavra de consolo?
Seria poema, a voz e seus tumultos,
o silêncio, o amor e seus sorrisos?
- são os adereços da felicidade.
- são as pedras que fazem
o caminho de Santiago.
São os adjetivos mais cálidos,
inventados à meia luz.
São as mentiras que sustentam
a poesia do amor e seus endereços.
Visite meu blog de artes e poesia:
josebeneditomaciel.blogspot. com
RESPOSTAS:
1 -
10kΩ 2 – RS = 1kΩ e RD = 9KΩ
3
– RG1 = 360kΩ, RS = 2,0kΩ e RD = 8kΩ
4 – RDSon = VDSsat/IDss = 400Ω e Vout = 7,69mVpp
5 – RDSon = VDSsat/IDss = 500Ω e Vout = 99,09mVpp
6 -
7 – b
8 – depleção – acumulação – enriquecimento
9 – depleção médio
10 – acumulação – mínimo
11 – acumulação 12
– acumulação
13- depleção
14 – b 15 – b
16 – 6kΩ e 500Ω / 0454V e 4,54V
17 – 6,8 e 13,6 18
– e
19 – 5mS / c 20
- 1250
21 - +2,25V e -3,375V / +3,6V e -5,4V
22 – aproxim 0,5mA e exato de 0,4833mA
23 - aproxim 0,5mA e exato de 0,48mA
24 – 3,17V – 2,5V, 11,33V, 6V, 3,5V e 5,33V
25 – 0,555 – 5,55mVp
26 –
27 –
28 –
29 – 3,11V; 106mA, 210mS e 13,4
Thank you teacher!
ResponderExcluirbut, what are the answers of 6, 26, 27 and 28?