Série - EB - 2° C - 3° bim.2013

unesp             UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA

CAMPUS DE GUARATINGUETÁ

   Colégio Técnico Industrial de Guaratinguetá

Prof. Carlos Augusto Patrício Amorim

SÉRIE DE EXERCÍCIOS  – Prof. Maciel - -3º BIMESTRE - 2013 - 2º C - EB

Nome: _________________________________________________ Data: _____________

1 – No Estudo dos JFETs, a tensão de pinch off, tensão de estrangulamento, determina

a)       IDSS e VG

b)       ID_Q e VGS_Q

c)       IDSS e VGSoff

d)       ID_Q e Vp

2 – Um JFET possui uma IGss de 8,0nA quando recebe uma tensão VGS inversa de 24V. Qual a impedância de entrada deste dispositivo? Resp. __________ ohm.

3 – Calcular a corrente IDQ de um JFET que receba VGSQ de 2,2Ve tenha uma IDSS de 10mA para uma Vp de -4V.  Resp.  IDQ = IDSS x ( VGS/VP -1 )²  = _____________

4 – Calcular a potencia dissipada por um JFET que possua uma VDSQ de 3,2V,ID_Q de 4,4ma e VVGSQ de 2,0V. Resp. P = ____________ W

5 - Calcular o valor de RD do circuito mostrado abaixo para IDQ de 1mA, VDSQ de 15 volts e VGSQ de – 1V.   Resposta: ________ ohm.

                                                                                         figura 1

6 – Calcular os valores de Rs e RD do circuito abaixo, onde a corrente quiescente de dreno de 1ma, e VDS quiescente é de 15volts. Sabe-se que na curva de transcondutância do referido JFET uma Id de 1ma ocorre para VGS de -1volt. Resposta: Rs = ________ ohm e RD = ____________ ohm

                                                                                       figura 2

7 - Determinar os valores de RG1, RS e RD do circuito mostrado a seguir para o ponto quiescente de 1ma de IDQ, com 15 volts de VDS, para uma VGS de -1V. CONSIDERE RG2 NO VALOR DE  15kΩ e VGG = 1,0V   Dados:     a) VGG = RG2 x VDD / ( RG1 + RG2 ); 

b) -VGS = (Rs x ID) – VGG;       c)  RS = ( VGG – VGSQ ) / IDQ,

d)  RD = [(  VDD – VDSQ ) / IDQ ] – RS ou RD =  ( VDD –  VRS - VDS ) / IDQ

     

                                                                    figura 3

8 – Calcular a resistência RDS(on) da chave DC empregando um JFET que possua uma VDS(sat) ou ( vp) de 2volts e uma IDss de 10mA. Qual valor da tensão de saída para o caso de o circuito receber uma VGs nula e Vin de 20mVpp? Respostas: _______ ohm e __________ mV.  Dados: RDS (on)  = VP / IDSS

                                                                 figura 4                       

9 – Calcular a resistência RDS(on) da chave DC empregando um JFET que possua uma VDS(sat)ou  ( Vp) de 4volts e uma IDss de 8mA. Qual valor da tensão de saída para o caso de o circuito receber uma VGs nula e Vin de 100mVpp? Respostas: _______ ohm e __________ mV. Dados: RDS (on)  = VP / IDSS

                                                               figura 5                                                      

10 – No circuito abaixo, o valor de VDS é de ________ V eo transistor está operando na região _______________ .  Dados: IDSS = 6ma; VGS ( off ) = -4V.

Resposta: ( a ) 6,8 – ôhmica     ( b ) 6,8 – de corrente constante   ( c ) 1,2 – ôhmica   ( d ) 1,2 – de fonte de corrente    ( prova EAGS 2002 )

                                                               figura 6        

11 – Os MOSFETs podem ser classificados em dois tipos que são : modo de ________________ e MOSFET modo de _____________ ou _____________.

12 -  Um MOSFET modo de _________ é um dispositivo normalmente fechado, ou um dispositivo que possui o canal existente mesmo com VGS nula, sendo sua IDSS um valor ____________( máxima / médio / mínimo) .

13 -  Um MOSFET modo de _________ é um dispositivo normalmente aberto, ou um dispositivo que  possui o canal aberto quando a  VGS é nula, sendo sua IDSS um valor ____________ ( máxima / médio / mínimo) .

14 – Um VMOS ou POWER FET é um MOSFET modo de ___________ empregado para correntes elevadas.

15 – A tecnologia CMOS emprega os MOSFETs modo de ____________ para a confecção de portas lógicas.

16 – Um amplificador para baixos sinais para freqüências elevadas emprega o MOSFET modo de  ______________ .

17 – A vantagem dos MOSFETs sobre os JFETs é a

( a ) baixa transcondutância dos MOSFETs ( b ) altíssima impedância dos MOSFETs

( c ) baixo ganho dos JFETs        ( d ) alto ganho de tensão dos MOSFETs.

18 – Por que não se pode empregar a autopolarização para os MOSFETs modo de acumulação?

( a ) por impor uma tensão VGS positiva. ( a ) por impor uma tensão VGS negativa.

( c ) por diminuir a impedância do MOSFET.   ( d ) por aumentar a largura do canal do MOSGFET.

19 – No circuito de chaveamento de carga ativa mostrado abaixo; a) calcular a impedância RDs(on) do MOSFET superior e do inferior. B) Para um sinal TTL de 5V, qual a tensão em Q1 e em Q2? Resp. VDS1 = ___________ V    e VDS2 = ___________ V.

Dados:  Para Q1: ID(on) = IDss = 4mA e VDS(on) = 24V

              Para Q2 : ID(on) = IDss = 4mA, VP = VGSoff = 2V e VGSQ = -1V

Resp.  a) RDS (Q1) = ________    RDS (Q2) = _________  b)

                                                                        fiura 7

20 – Para o circuito abaixo, determinar o valor de Vo1 e de Vo2 para a situação de a) V(contr) de -5V  e b)  V(contr) = VGS =  zero.   Resp.  

V(contr) de -5V: Vo1 - _____________   Vo2 = ___________________

VGS = zero: Vo1 = ________________   Vo2 = ___________________

                                                                       figura 8

21 – Para o circuito abaixo, para VGS de -0,5V, o valor de ID é de aproximadamente ____________ mA.   O valor exato de ID é de _________________ mA. O valor da tensão VD é de aproximadamente _____________ volts.

                                                                     figura 9

                         

22 – Para o circuito abaixo, para VBE é de 0,6V, o valor de ID é de aproximadamente ____________ mA.   O valor exato de ID é de _________________ mA. O valor da tensão VD é de aproximadamente _____________ volts.

                                                              Figura 10

23 –  Para o circuito abaixo, onde VGS é de – 2,827V e VBE é de 0,673V, determinar os seguintes valores: VB, VE, VD, VC = VS, VCE e VDS.

Resp. VB = ______________ V, VE = _____________ V, VD = _____________ V,

VC = VS = ____________ V,  VCE = ______________ V  e VDS = _____________ V

                                                              Figura 11                    

24 -  No circuito abaixo, para Ve de +5V, ( nível alto ), Q2 _________ ( corta / satura ); Q1 _________ ( corta / satura ) e Q3 ­_________ ( corta / satura ) levando o motor M1 à ___________ ( ativação / desativação ).

                                                                              Figura 12

25 -  No circuito acima, para Ve em nível baixo, Q2 _________ ( corta / satura ); Q1 __________ ( corta / satura ) e Q3 ­_________ ( corta / satura ) levando o motor M1 à ___________ ( ativação / desativação ).

Poema 2012 / 1 - 24 / 01 / 12

O que caberá no meu close de artista?

- Uma cor vã – um desenho inédito?

- uma palavra ao meio – corpo metade?

- uma face dividida – uma metáfora?

- Uma descoberta – um assunto

                 discutido no silêncio.

- Uma conversa – um compasso

                 que não existe.

- Meus acasos – uma procura de 

                                     memória.

- Aventura do andamento. – incompletude de horizontes.

- Caminho a prosseguir –

sem saber onde encontrar o poema.

- minhas pontes para o espanto –

um adjetivo vertendo no poema!   José B. Maciel  -

Visite: josebeneditomaciel.blogspot.com.br – artes e poesia

Respostas.da Série de Exercícios de EB – Eletrônica Aplicada – Turma: 2º C

3º bimestre – Prof. José. B. Maciel –

1 – C      2 - 3GΩ         3 – 2,055mA    4 – 14,08mW     5 - 10kΩ

6 – RS = 1kΩ e RD = 9KΩ

7 –  RG1 = 360kΩ, RS = 2,0kΩ e RD = 8kΩ

8 – RDSon = VDSsat/IDss = 400Ω e Vout = 7,69mVpp

9 – RDSon = VDSsat/IDss = 500Ω e Vout = 99,09mVpp

10 – b           11 – depleção – acumulação – crescimento

12 -  depleção – médio

13 –acumulação – mínimo

14 – acumulação

15- acumulação

16 – depleção   17 – b    18 – por impor um valor de VGS negativa na porta

19 -  6kΩ e 500Ω / 0,454V e 4,54V

20 – +2,25V e -3,375V /+ 3,6V e -5,4V

21 – aproxim 0,5mA e exato de 0,4833mA

22 - aproxim 0,5mA e exato de 0,48mA

23 – 3,17V – 2,5V, 11,33V, 6V, 3,5V e 5,33V

24 – corta – satura – corta – desativa

25 – satura – corta – satura – ativa